磷化铟供应风险再度加剧

• 2026-09-08
• 新闻中心

近日，IQE的首席执行官尤塔·梅尔在采访中警告，由于出口管制带来的不确定性，磷化铟衬底的获取正成为半导体行业的重大风险。她指出，业界面临的主要难题是“地缘政治限制”，使得制造高速数据传输芯片所需的材料变得难以获得，供应无法满足需求。梅尔提到，公司正与多家供应商合作以降低风险，但如果相关政策变化，出口管制许可证依然会影响他们的运营。因此，磷化铟的紧张局面再度引起广泛关注。

磷化铟是什么？要理解其重要性，首先要知道磷化铟（InP）是三大主流集成光子学平台之一，历史悠久。它不仅能够导光，还能发光，这使其成为构建基于光的电子电路的理想材料。作为一种直接带隙半导体，磷化铟是唯一能够同时满足这两个条件的材料，而其他材料如硅和氮化硅则无法做到。

磷化铟的发展可以追溯到1969年首颗半导体激光器的发明，1987年首款激光器与调制器结合的光子集成电路问世，部分材料源于磷化铟。随着技术的进步，集成在单个InP芯片上的元件数量也大幅增加，现如今研发环境中，已能制造出集成超过千个元件的光子集成电路。 球友会

尽管磷化铟可以应用于多个领域，它在光电子学中的应用最为突出。InP激光器为全球光通信系统提供光源，涉及光纤联网、网络和自由空间光通信等方面。流媒体公司、移动通信运营商及智能手机制造商均依赖于磷化铟。在数据通信领域，InP光子集成电路将在数据中心和5G基站中得到广泛应用。随着全球对带宽的需求增加，磷化铟的价值日益凸显。

在制造磷化铟晶圆的过程中，从高纯铟和磷开始，经过高压加热生成液态磷化铟，再通过控压直拉法生长单晶。在该过程中，每个环节都可能影响最终产品的供应。但目前，真正推动磷化铟需求爆发的力量不是消费电子，而是数据中心。

伴随人工智能的普及，对高速光互连的需求激增，数据中心需要超大规模的GPU集群，光模块的速度也从400G、800G发展到1.6T，甚至3.2T。与VCSEL相比，磷化铟激光器具备更高的功率和更长的传输距离，成为硅光模块的核心光源，因此磷化铟的需求量持续上升。 球友会

值得一提的是，光模块速度的每次提升不仅意味着带宽的翻倍，还会增加复杂性。在进入1.6T的过程中，每个模块对磷化铟的使用量几乎翻倍。现代AI架构需要的带宽巨大，这意味着多个机架需要数百个光模块，从而使得对磷化铟激光器组件的需求飙升。

根据Yole的数据预测，人工智能集群在未来几年内对互连的需求将不断增加。预计到2031年，光模块的市场规模将显著扩大，这将影响供应链的每一个环节，对磷化铟的稳定供应提出了更高的要求。