我国新一代氧化镓半导体器件实现重要进展

• 2026-10-01
• 新闻中心

我国在氧化镓半导体核心器件领域取得了显著进展。上海镓驰动力科技有限公司近期完成了超宽禁带半导体中的氧化镓垂直MOSFET芯片的第一阶段流片测试，成功研发出全球首款导通电流超过1安、击穿电压超过900伏的增强型氧化镓垂直MOSFET器件。这一成果刷新了多项国际纪录，标志着我国在氧化镓功率器件商业化方面向前迈出了一大步。

氧化镓作为新一代超宽禁带半导体的核心材料，凭借其高击穿场强、低导通损耗和耐高温的特点，被认为是高压、高效率功率器件发展的重要方向。这在新能源装备、高端工业电力、智能电网和储能系统等领域具有广阔的应用前景，同时也是全球功率半导体产业的竞争关键。然而，p型注入掺杂技术的难题一直制约着氧化镓MOSFET的高功率化和商业化进程，导致现有产品在通流能力、耐压和漏电流方面存在不足。之前的研究和报道中并没有实现导通电流突破安培的器件。

为了解决这一行业难题，镓驰动力的技术团队采取了创新的技术攻关策略。在器件设计上，团队自制了新型氧化镓MOSFET单元和专用终端结构，通过精细的电场分布调控，显著提升了器件的稳定性和耐压性能。在制造工艺上，团队成功突破了氧化镓MOSFET沟道自对准离子注入技术，解决了垂直器件沟道的精确制备和掺杂均匀控制等问题，建立了符合大功率氧化镓器件的专门工艺系统，并顺利完成了初步的完整流片和电学性能测试。 球友会

实测结果显示，该器件的阈值电压为3.9伏，能够稳定工作在增强模式，符合商业化功率器件使用要求；导通电流达到1.2安，导通电阻为33毫欧·平方厘米，成为全球首款导通电流突破1安的垂直结构氧化镓MOSFET；器件按照750伏电压平台设计，实测击穿电压超过900伏，漏电流控制在3微安以内，漏电水平接近于成熟的硅和碳化硅功率器件，成功解决了氧化镓器件高漏电的难题，展现出良好的商业化潜力。

技术团队表示，此次阶段性成果验证了创新器件结构和自研离子注入工艺的可行性，是氧化镓功率器件从实验室向商业化迈出的一步。接下来，镓驰动力将继续深入超宽禁带半导体领域，优化器件结构、工艺参数和外延材料匹配，从而提升器件的可靠性和综合性能，加速芯片的迭代和产业化进程，为高端装备和新能源等战略新兴产业提供强有力的支持。